[发明专利]测试架构、测试系统及在晶圆级测试半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201611140361.1 | 申请日： | 2016-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN107039301B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 边永镛;宋浩圣;金致旭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽;贾洪菠 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了测试架构、测试系统及在晶圆级测试半导体装置的方法。从具有测试架构的晶圆制造半导体芯片的方法包括：在晶圆上形成多个裸片，多个裸片中每一个都包括半导体装置，形成通常耦合至裸片的至少两个共用焊盘，这至少两个共用焊盘在划片通道中形成，划片通道将裸片彼此划分，以及使用至少两个共用焊盘同时在晶圆级测试半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 架构 系统 晶圆级 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种从具有测试架构的晶圆制造半导体芯片的方法，所述方法包括：在晶圆上形成多个裸片，所述多个裸片中每一个包括半导体装置；形成共同耦合至所述裸片的至少两个共用焊盘，所述至少两个共用焊盘在划片通道中形成，所述划片通道将所述裸片彼此区分；以及使用所述至少两个共用焊盘在晶圆级同时测试所述半导体装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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