[发明专利]磁性薄膜结构以及含有其的磁敏传感器器件、应用方法有效
| 申请号： | 201611140368.3 | 申请日： | 2016-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN106597102B | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 余天;徐延浩;张兆伟 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | G01R27/02 | 分类号： | G01R27/02 |
| 代理公司： | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人： | 王芸;熊晓果 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于传感器领域，具体为一种磁性薄膜结构以及含有其的磁敏传感器器件、应用方法。本发明提供的磁性薄膜结构可通过时变电磁激励产生自旋整流效应，从而使得该薄膜结构的磁敏传感器调制，包括调整磁敏传感器工作电压窗口以及提高测量磁电阻率。另外，本发明还提供一种在给定磁场和给定直流工作电流下的输出电压窗口调制、利用上述磁性薄膜结构或相应磁敏传感器器件进行微波功率探测的使用方法，其通过将磁性薄膜结构或相应磁敏传感器器件的第一磁性层、第二磁性层各引出两个电极接口，并通过预先标定好输入的不同微波功率与磁性薄膜结构磁电阻率值的对应关系，在需要微波探测的场合，通过检测磁性薄膜结构的自旋整流电压或磁电阻率的变化，获得微波功率数值。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 薄膜 结构 以及 含有 传感器 器件 应用 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米磁性薄膜结构，依次包括：第二磁性层、非磁层及第一磁性层；其特征在于，所述第一磁性层具有固定磁化方向，第二磁性层具有不同的初始可变的磁化方向，同时，第一磁性层矫顽力Hc1与第二磁性层矫顽力Hc2满足Hc1＞Hc2，该纳米磁性薄膜结构具有自旋整流效应。
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