[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置在审
| 申请号： | 201611140959.0 | 申请日： | 2016-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN108609573A | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 王贤超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述MEMS器件包括：基底；振膜，位于所述基底的上方，所述振膜的边缘部分的厚度大于所述振膜的中心部分的厚度；背板，位于所述振膜的上方；空腔，位于所述振膜和所述背板之间，所述中心部分和部分所述边缘部分暴露在所述空腔中。其中，振动边缘增厚的振膜可以使缺陷点(weak point)处的振膜厚度达到振动中间区域的两倍或者两倍以上，提高耐受的声音强度，增加器件的抗摔能力和最大声音阈值，大大的提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 振膜 电子装置 背板 基底 空腔 制备 中间区域 缺陷点 抗摔 耐受 增厚 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件包括：基底；振膜，位于所述基底的上方，所述振膜的边缘部分的厚度大于所述振膜的中心部分的厚度；背板，位于所述振膜的上方；空腔，位于所述振膜和所述背板之间，所述中心部分和部分所述边缘部分暴露在所述空腔中。
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