[发明专利]III‑V族氮化物生长用复合衬底、器件结构及制备方法在审
| 申请号： | 201611141047.5 | 申请日： | 2016-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN106653968A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 郝茂盛;袁根如;张楠 | 申请（专利权）人： | 上海芯元基半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201209 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种III‑V族氮化物生长用复合衬底、器件结构及制备方法，所述III‑V族氮化物生长用复合衬底的制备方法包括以下步骤1）提供生长衬底；2）在所述生长衬底表面形成氮化物缓冲层；3）在所述氮化物缓冲层表面形成半导体介质层；4）在所述半导体介质层内形成通孔，以将所述半导体介质层分为若干个生长区域。本发明通过在半导体介质层内设置通孔，将所述半导体介质层分为若干个生长区域，在所述III‑V族氮化物生长用复合衬底表面进行外延生长时，由于外延生长具有选择性，可以形成多个与生长区域对应的独立的生长窗口，进而可以减少外延层的应力，提高外延晶体的质量，避免在其上形成芯片结构后划片、裂片工艺对各生长窗口内的外延层的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 生长 复合 衬底 器件 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种III‑V族氮化物生长用复合衬底的制备方法，其特征在于，所述III‑V族氮化物生长用复合衬底的制备方法包括以下步骤：1)提供生长衬底；2)在所述生长衬底表面形成氮化物缓冲层；3)在所述氮化物缓冲层表面形成半导体介质层；4)在所述半导体介质层内形成通孔，以将所述半导体介质层分为若干个生长区域；各所述生长区域内的所述半导体介质层内均包括若干个所述通孔，所述通孔暴露出所述氮化物缓冲层，各所述生长区域内的相邻所述通孔的间距小于相邻所述生长区域的间距。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海芯元基半导体科技有限公司，未经上海芯元基半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611141047.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
