[发明专利]一种GaAs‑pHEMT器件制备过程中去除有机污染的方法在审
| 申请号： | 201611141147.8 | 申请日： | 2016-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN106449374A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 刘丽蓉;王勇;丁超 | 申请（专利权）人： | 东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳市智圈知识产权代理事务所(普通合伙)44351 | 代理人： | 韩绍君 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市松山湖高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种GaAs‑pHEMT器件制备过程中去除有机污染的方法，其具体过程为：(1)在制作好栅金属电极和源漏金属电极后的GaAs‑PHEMT器件上进行表面有机清洗；(2)涂敷一层PMGI光刻胶，120度热板烘干；(3)将样品放在氮甲基苯络烷酮(NPA)去胶液中，在70度条件下去胶；(4)将样品放置在RIE中进行等离子体处理；(5)进行去离子水清洗并生长SiN薄膜钝化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaas phemt 器件 制备 过程 去除 有机 污染 方法 | ||
【主权项】：
一种GaAs‑pHEMT器件制备过程中去除有机污染的方法，其具体过程为：(1)在制作好栅金属电极和源漏金属电极后的GaAs‑PHEMT器件上进行表面有机清洗；(2)涂敷一层PMGI光刻胶，120度热板烘干；(3)将样品放在氮甲基苯络烷酮(NPA)去胶液中，在70度条件下去胶；(4)将样品放置在RIE中进行等离子体处理；(5)进行去离子水清洗并生长SiN薄膜钝化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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