[发明专利]一种柔性石墨薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201611141941.2 | 申请日： | 2016-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN106601589A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 刘丽蓉;王勇;丁超 | 申请（专利权）人： | 东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B32B38/10;C01B32/205 |
| 代理公司： | 深圳市智圈知识产权代理事务所(普通合伙)44351 | 代理人： | 韩绍君 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市松山湖高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种柔性石墨薄膜的制备方法，其步骤依次为(1)在一石英衬底上涂覆一层高温PMMA电子束胶；(2)再将PI胶涂覆在石英衬底上；(3)对黏附有PI胶的石英衬底放入烘箱进行固化；(4)将涂覆有PMMA电子束胶、PI胶的石英衬底放置在丙酮中进行剥离，形成PI膜；(5)将该PI膜放入碳化炉进行碳化，形成柔性石墨薄膜。本发明应用于柔性电子制造领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 石墨 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种柔性石墨薄膜的制备方法，其步骤依次为：(1)在一石英衬底上涂覆PMMA光刻胶，然后在180度热板上进行烘干；(2)再将PI胶涂覆在该石英衬底上；(3)将涂覆有PMMA胶和PI胶的石英衬底放入烘箱进行固化；(4)将石英片放入丙酮中进行剥离，形成PI胶膜；(5)将剥离出的PI膜放入碳化炉进行碳化，形成柔性石墨薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
