[发明专利]嵌入式HKMG非易失性存储器

摘要

本发明的实施例涉及一种包括高k金属栅极(HKMG)非易失性存储(NVM)器件并且提供小尺寸和高性能的集成电路(IC)、以及形成的方法。在一些实施例中，该集成电路包括逻辑区和嵌入式存储区，其中逻辑区具有设置在衬底上方的逻辑器件并且包括设置在第一高k栅极介电层上方的第一金属栅极，嵌入式存储区邻近逻辑区设置。嵌入式存储区具有包括选择栅极和控制栅极的分离栅极闪速存储单元。控制栅极或选择栅极是通过第二高k栅极介电层与衬底分隔开的金属栅极。通过在逻辑区和存储区中具有HKMG结构，提高了IC性能并且在新兴技术节点中的进一步缩小成为可能。本发明的实施例还涉及嵌入式HKMG非易失性存储器。

主权项

一种集成电路(IC)，包括：逻辑区，包括设置在衬底上方的逻辑器件并且包括设置在第一高k栅极介电层上方的第一金属栅极；以及嵌入式存储区，邻近所述逻辑区设置并且包括非易失性存储(NVM)器件，所述非易失性存储器件包括设置在所述衬底上方的分离栅极闪速存储单元；其中，所述分离栅极闪速存储单元包括选择栅极和控制栅极，所述选择栅极和所述控制栅极通过在所述控制栅极下方延伸的电荷捕获层分隔开；其中，所述控制栅极或所述选择栅极是通过第二高k栅极介电层与所述衬底分隔开的金属栅极。