[发明专利]一种硅太阳能低氧、低光衰单晶热场在审

专利信息
申请号: 201611143452.0 申请日: 2016-12-13
公开(公告)号: CN106521624A 公开(公告)日: 2017-03-22
发明(设计)人: 李守卫;楚信博;王松;李志辉;岳瑞存;侯占鹏 申请(专利权)人: 晶澳太阳能有限公司
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B15/14
代理公司: 广州知友专利商标代理有限公司44104 代理人: 李海波,侯莉
地址: 055550 河北*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明公开了一种硅太阳能低氧、低光衰单晶热场,包括拉晶炉的工作腔和设于工作腔内的石墨加热器,石墨加热器采用对应于坩埚中上部的主加热器和对应于坩埚下部的副加热器,主加热器和副加热器分别由两个电源独立控制,在化料阶段,主加热器和副加热器同时开启工作,主加热器和副加热器的功率之比为21~31,在拉晶阶段,降低主加热器和副加热器的功率,且主加热器的功率大于副加热器的功率,使硅料处于结晶点,由主加热器主要控制整个拉晶时热场温度,使热对流强度减弱,减缓石英埚的反应速度,降低由于石英埚与硅进行化学反应所产生的氧及杂质,降低硅棒氧含量、氧施主硅片产出比例,提高硅棒少子寿命,使电池片环节的LID衰减降低。
搜索关键词: 一种 太阳能 低氧 低光衰单晶热场
【主权项】:
一种硅太阳能低氧、低光衰单晶热场,包括拉晶炉的工作腔和设于工作腔内的石墨加热器,石墨加热器的瓣沿着工作腔的内部圆周设置而围括住用于盛放硅料的坩埚,其特征在于:所述石墨加热器采用对应于坩埚中上部的主加热器和对应于坩埚下部的副加热器,所述主加热器和副加热器分别由两个电源独立控制,所述副加热器位于主加热器的正下方,所述主加热器和副加热器的瓣所分别围括成的筒体同轴等径,且所述主加热器的瓣和副加热器的瓣之间具有间隙,在化料阶段,所述主加热器和副加热器同时开启工作,主加热器和副加热器的功率之比为2:1~3:1;在拉晶阶段,降低主加热器和副加热器的功率,且主加热器的功率大于副加热器的功率,使硅料处于结晶点,由主加热器主要控制整个拉晶时热场温度,从而使热对流强度减弱,以减缓石英埚的反应速度,降低由于石英埚与硅进行化学反应所产生的氧及杂质。
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