[发明专利]产生用于光刻过程的多个光掩模的方法有效
申请号: | 201611143527.5 | 申请日: | 2016-12-13 |
公开(公告)号: | CN107797377B | 公开(公告)日: | 2022-10-28 |
发明(设计)人: | 蔡念豫;徐金厂;李宪信;杨稳儒 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/50 | 分类号: | G03F1/50 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: |
一种产生用于光刻过程的多个光掩模的方法包含产生电路图形。电路图形包括多个顶点和多个边缘。多个顶点中的每一者表示多个导线中的一者。多个边缘表示小于可接受最小距离的导线之间的间距。通过将第三顶点合并到选自多个顶点的第一集合的第四顶点中来简化K |
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搜索关键词: | 产生 用于 光刻 过程 多个光掩模 方法 | ||
【主权项】:
一种产生用于光刻过程的多个光掩模的方法,其包括:产生表示具有多个导线的电路布局的电路图形,其中所述图形包括多个顶点和多个边缘,其中所述多个顶点中的每一者表示所述多个导线中的对应一者,且其中所述多个边缘中的每一者表示小于可接受最小距离的所述导线之间的间距;识别所述电路图形内的至少一个Kn+1图形,其中Kn+1图形包括选自由选自所述多个边缘的边缘的第一集合串联连接的所述多个顶点的顶点的第一集合,且具有选自顶点的所述第一集合的第一顶点和第二顶点之间的至少一个非串联边缘连接,其中顶点的所述第一集合包括n+1个顶点,其中n为大于2的任何整数;通过将选自所述多个顶点的所述第一集合的第三顶点合并到第四顶点中,简化所述至少一个Kn+1图形,其中所述第三顶点具有选自所述多个边缘的边缘的第二集合,且所述第四顶点具有选自所述多个边缘的边缘的第三集合,且其中通过从所述电路图形移除所述第三顶点且将来自边缘的所述第二集合的边缘添加到边缘的所述第三集合,将所述第三顶点合并到所述第四顶点中以产生简化电路图形,其中仅当边缘的所述第三集合不包含对应边缘时,才将来自边缘的所述第二集合的所述边缘添加到边缘的所述第三集合;对所述简化电路图形执行n重图案冲突检查;以及基于所述n重图案冲突检查的结果产生所述多个光掩模。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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