[发明专利]一种PECVD镀膜装置有效
申请号: | 201611145208.8 | 申请日: | 2016-12-13 |
公开(公告)号: | CN106756884B | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 陈德榜 | 申请(专利权)人: | 温州海旭科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/50 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 325000 浙江省温州市经*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种PECVD镀膜装置,包括双层石英管,双层石英管端部设有法兰,双层石英管内腔设有镀膜腔,镀膜腔外壁上固定有感应线圈,法兰上设有第一工艺进气口和第二工艺进气口,且第一工艺进气口、第二工艺进气口连接设置在镀膜腔内部的气体稳流装置,双层石英管一侧和底部均开有通孔,且侧壁的通孔内穿设抽真空管,且抽真空管连通镀膜腔,底部的通孔内穿设有尾气排放管,且尾气排放管连通镀膜腔,本发明结构原理简单,能够提高硅片镀膜的均匀性,且工作效率高。 | ||
搜索关键词: | 镀膜腔 双层石英管 进气口 通孔 尾气排放管 抽真空管 法兰 连通 发明结构原理 工作效率高 进气口连接 感应线圈 硅片镀膜 稳流装置 均匀性 侧壁 穿设 内腔 外壁 | ||
【主权项】:
1.一种PECVD镀膜装置, 包括双层石英管(1),其特征在于:所述双层石英管(1)端部设有法兰(2),所述双层石英管(1)内腔设有镀膜腔(3),所述镀膜腔(3)外壁上固定有感应线圈(4),所述法兰(2)上设有第一工艺进气口(5)和第二工艺进气口(6),且所述第一工艺进气口(5)、所述第二工艺进气口(6)连接设置在镀膜腔(3)内部的气体稳流装置(7),所述双层石英管(1)一侧和底部均开有通孔(8),且侧壁的通孔内穿设抽真空管(9),且所述抽真空管(9)连通镀膜腔(3),所述抽真空管(9)连接抽真空设备(10),底部的通孔内穿设有尾气排放管(11),且所述尾气排放管(11)连通镀膜腔(3),所述尾气排放管(11)连接尾气处理装置(12);所述气体稳流装置包括稳流体(13)、进气口(14)、蜂窝片(15)、气体调整器(16)、出气口(17)和过滤片(18),所述稳流体(13)的一端设有进气口(14),所述稳流体(13)的另一端设有出气口(17),所述稳流体(13)的内部设有蜂窝片(15)、气体调整器(16),所述蜂窝片(15)位于进气口(14)的一端,所述蜂窝片(15)连接气体调整器(16),所述气体调整器(16)的出口通过过滤片(18)连接出气口(17),所述气体调整器(16)内包括多个气流调节格栅(19),且所述气流调节格栅(19)呈锥形。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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