[发明专利]黄花远志茎段组培高成苗率培育方法

摘要

本发明涉及一种黄花远志茎段组培高成苗率培育方法，它包括如下步骤：采集及消毒外植体、诱导培养获得腋芽、壮苗培养获得强壮茎段、继代增殖获得组培茎段、诱根培养获得诱根处理茎段、试管外生根。它采用以带有尚未萌发腋芽的半木质化枝条，去除叶片，切取至少带1个节间茎段作为外植体,采用本发明的步骤，利于黄花远志种苗主根形成，提高种苗质量,提高远志药材的产量，且后代种苗不易出现变异，对黄花远志种苗的培育和药材生产具有非常重大的意义。

主权项

1.黄花远志茎段组培高成苗率培育方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)采集及消毒外植体：采集黄花远志的带有尚未萌发腋芽的半木质化枝条，去除叶片，切取至少带1个节间茎段作为外植体，并对其进行消毒，之后放入无菌瓶中；(2)诱导培养获得腋芽：切去上述经消毒的无菌外植体与消毒剂接触的两端部，留下具有至少1个节间的茎段，接着将茎段的形态学下端斜插于诱导腋芽萌发的腋芽诱导培养基上进行腋芽诱导培养15‑20天，腋芽诱导培养条件为：温度18‑22℃、无光照的黑暗条件；(3)壮苗培养获得强壮茎段：切割下经步骤(2)诱导培养的腋芽并转移至强壮腋芽生长的壮苗培养基中进行强壮腋芽生长培养15‑20天成茎段，强壮腋芽生长培养条件为：光照强度2000‑2500lx、光照时间10‑12h/d，温度23‑27℃，(4)继代增殖获得组培茎段：将经步骤(3)获得的强壮茎段转接至继代增殖培养基中进行丛生芽的增殖培养25‑35天；丛生芽的增殖培养条件为：温度20‑26℃，光照时间10‑12h/d，光照强度2000‑2500lx；(5)诱根培养获得诱根处理茎段：将经步骤(4)产生的丛生芽从基部切割分离出成单芽，然后将高度大于等于3厘米的单芽转入诱根培养基中进行生根处理成诱根处理茎段，生根处理条件为：23‑27℃温度条件下全黑暗培养7‑10天，然后再进行光照培养25‑35天，光照时间8‑10h/d、光照强度2000‑2500lx；(6)试管外生根：将经步骤(5)获得的诱根处理茎段进行加强光照培养3‑5天，之后将诱根处理茎段放入扦插苗床中进行试管外生根处理，然后均匀喷水，使诱根处理茎段和扦插苗床中的扦插基质接触紧密，之后进行试管外生根管理，直至苗高大于等于8厘米；试管外生根条件为：遮阳网下具散射光、光照强度4000‑5000lx，试管外生根管理条件为：控制扦插苗床的白天和夜晚温度分别为20℃‑30℃和20℃‑25℃，空气湿度保持在85‑90％，8‑10天后用50％多菌灵可湿性粉剂800‑1000倍液喷淋1次，开始逐渐加强光照、逐渐减小空气湿度，10‑15天后喷施0.05％磷酸二氢钾溶液1次；所述的腋芽诱导培养基为：在1/2B5培养基中加入浓度为1.5‑2.0mg/L的NAA、浓度为0.5‑0.8g/L的活性炭、浓度为8‑12g/L的蔗糖和浓度为7.0‑7.8g/L的琼脂，控制pH为5.5‑6.5；所述的壮苗培养基为：1/2B5培养基中加入浓度为0.3‑0.5mg/L的NAA、浓度为0.5‑0.8mg/L的6‑BA、浓度为20‑30mg/L的壳聚糖、浓度为20g/L的蔗糖和浓度为7.0‑7.8g/L的琼脂，控制上述壮苗培养基的pH为5.5‑6.5；所述的继代增殖培养基为：B5培养基中加入浓度为0.3‑0.5mg/L的NAA、浓度为2.7‑3.5mg/L的6‑BA、浓度为0.5‑1.0g/L的胰蛋白胨、浓度为20g/L的蔗糖和浓度为6.5‑7.3g/L的琼脂，控制该继代增殖培养基的pH为5.5‑6.5；所述的诱根培养基为：B5培养基中加入浓度为0.5‑0.8mg/L的NAA、浓度为0.5g/L的活性炭、浓度为20g/L的蔗糖和浓度为6.7‑7.5g/L的琼脂粉，调节该诱根培养基的pH值为5.8‑6.5。