[发明专利]C轴结晶IGZO薄膜及其制备方法

摘要

本发明提供一种C轴结晶IGZO薄膜及其制备方法。本发明的C轴结晶IGZO薄膜的制备方法，通过采用原子层沉积的方法来制备C轴结晶IGZO薄膜，能够在原子水平上精确控制C轴结晶IGZO的结构，制得的C轴结晶IGZO的结晶质量好，氧缺陷较少，能够提高TFT的稳定性；并且由于本发明制得的C轴结晶IGZO薄膜中的结晶区域的面积较大，达百微米级至毫米级，因此可促进C轴结晶IGZO的规模化应用；同时本发明利用最优化的工艺条件来制备C轴结晶IGZO薄膜，可提高生产良率，降低生产成本。本发明的C轴结晶IGZO薄膜，C轴结晶IGZO的结晶质量好，氧缺陷较少，能够提高TFT的稳定性，同时结晶区域的面积较大，有利于C轴结晶IGZO的规模化应用。

主权项

1.一种C轴结晶IGZO薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基底(10)与原子层沉积装置(50)，将所述基底(10)送入所述原子层沉积装置(50)中，向所述原子层沉积装置(50)中通入氧化铟前驱体物质，同时通入氧气与惰性气体的混合气体，在所述基底(10)上形成氧化铟膜(20)；步骤2、向所述原子层沉积装置(50)中通入清洗气体，驱逐出所述原子层沉积装置(50)中多余的氧化铟前驱体物质，从而对所述原子层沉积装置(50)进行清洗；步骤3、向所述原子层沉积装置(50)中通入氧化镓前驱体物质，同时通入氧气与惰性气体的混合气体，在所述氧化铟膜(21)上形成氧化镓膜(22)；步骤4、向所述原子层沉积装置(50)中通入清洗气体，驱逐出所述原子层沉积装置(50)中多余的氧化镓前驱体物质，从而对所述原子层沉积装置(50)进行清洗；步骤5、向所述原子层沉积装置(50)中通入氧化锌前驱体物质，同时通入氧气与惰性气体的混合气体，在所述氧化镓膜(22)上形成氧化锌膜(23)；步骤6、向所述原子层沉积装置(50)中通入清洗气体，驱逐出所述原子层沉积装置(50)中多余的氧化锌前驱体物质，从而对所述原子层沉积装置(50)进行清洗；经过所述步骤1至步骤6，在所述基底(10)上形成一层C轴结晶IGZO膜(20)，所述C轴结晶IGZO膜(20)包括在C轴方向上依次排列的氧化铟膜(21)、氧化镓膜(22)及氧化锌膜(23)；步骤7、在所述基底(10)上形成C轴结晶IGZO薄膜(30)。