[发明专利]一种二相流雾化清洗装置在审
申请号: | 201611149367.5 | 申请日: | 2016-12-14 |
公开(公告)号: | CN106684019A | 公开(公告)日: | 2017-05-17 |
发明(设计)人: | 滕宇;许璐 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人: | 陶金龙;张磊 |
地址: | 100016 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种二相流雾化清洗装置,包括可移动固定支架及与其相连的二相流雾化喷嘴主体,主体内设有清洗介质混合腔,用于使通入的气体、液体清洗介质充分混合,并形成尺寸均匀的雾化颗粒,主体下端设有雾化颗粒出口,其通过拉瓦尔喷管连接至清洗介质混合腔,可通过拉瓦尔喷管缩小雾化颗粒的尺寸,增加雾化颗粒的运动速度和其具有的动能,并调整雾化颗粒从雾化颗粒出口喷出以后的运动轨迹,以使雾化颗粒具有垂直于晶圆表面的运动方向,防止雾化颗粒产生在水平方向上的动能分量,以避免对晶圆表面图形结构造成损伤。 | ||
搜索关键词: | 一种 二相流 雾化 清洗 装置 | ||
【主权项】:
一种二相流雾化清洗装置,其特征在于,包括:固定支架和二相流雾化喷嘴主体;所述固定支架一端与二相流雾化清洗喷嘴主体固定连接,另一端受驱动带动二相流雾化清洗喷嘴主体在晶圆表面上方运动,实现对整个晶圆范围内的均匀清洗;所述二相流雾化清洗喷嘴主体悬设于晶圆上方,其连接第一、第二清洗介质管路,所述第一清洗介质管路用于向二相流雾化清洗喷嘴主体内通入气体清洗介质,所述第二清洗介质管路用于向二相流雾化清洗喷嘴主体内通入液体清洗介质;所述二相流雾化清洗喷嘴主体内设有清洗介质混合腔,所述清洗介质混合腔连接第一、第二清洗介质管路,用于使通入的气体、液体清洗介质充分混合,并形成尺寸均匀的雾化颗粒;所述二相流雾化清洗喷嘴主体下端设有雾化颗粒出口,所述雾化颗粒出口通过拉瓦尔喷管连接至清洗介质混合腔;其中,通过拉瓦尔喷管缩小雾化颗粒的尺寸,增加雾化颗粒的运动速度和其具有的动能,并调整雾化颗粒从雾化颗粒出口喷出以后的运动轨迹,以使雾化颗粒具有垂直于晶圆表面的运动方向,防止雾化颗粒产生在水平方向上的动能分量,以避免对晶圆表面图形结构造成损伤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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