[发明专利]一种宽光谱太阳能吸收半导体及其制备方法

摘要

本发明所述宽光谱太阳能吸收半导体的化学通式为CdIn2‑xFexS4化合物，其中0＜x＜2；进一步的，所述半导体的母体半导体为CdIn2S4三元化合物，三元化合物CdIn2S4中的部分In原子被Fe原子取代形成半导体CdIn2‑xFexS4；半导体CdIn2‑xFexS4利用过渡族原子Fe在八面体晶体场中产生轨道劈裂，从而在带隙中形成杂质能级，具有宽光谱太阳能吸收特征；母体半导体CdIn2S4是一种尖晶石结构半导体化合物，其带隙为2.2eV，很好的满足高效率杂质带电池对带隙的要求(2.0‑2.5eV)；掺杂元素比例可以调节；合成方法简单可控，易于宏量制备。

主权项

一种宽光谱太阳能吸收半导体，其特征在于，所述半导体的化学分子式为CdIn2‑xFexS4，式中0<x<2。