[发明专利]一种反射式等离子体纳米结构光开关及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201611151305.8 申请日: 2016-12-14
公开(公告)号: CN106773146B 公开(公告)日: 2019-07-19
发明(设计)人: 何金娜;万明理;孙小军;张晓朋;李勇;周丰群 申请(专利权)人: 平顶山学院
主分类号: G02F1/03 分类号: G02F1/03;G02F1/01;B82Y20/00
代理公司: 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 代理人: 狄干强
地址: 467000 河*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 一种反射式等离子体纳米结构光开关及其制备方法,包括用于改变入射光偏振方向的偏振调制器件和等离子体纳米结构,该等离子体纳米结构包括底层的金属薄膜、中间层的电介质薄膜和分布在电介质薄膜上表面的若干金属纳米环,且金属纳米环对称分布并形成周期排布的金属纳米环阵列。本发明利用由金属薄膜、电介质薄膜和金属纳米环阵列形成的等离子体纳米结构,当入射光以不同偏振方向照射到该等离子体纳米结构时,几乎能够被全部反射或全部吸收,从而形成对入射光的“开”或“关”状态的控制,相比较于透射式光开关的消光比低的问题,本发明具有更大的消光比系数,而且制备方法简单,易于集成。
搜索关键词: 一种 反射 等离子体 纳米 结构 开关 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种反射式等离子体纳米结构光开关,包括用于改变入射光偏振方向的偏振调制器件(4)和等离子体纳米结构(5),其特征在于:所述等离子体纳米结构(5)包括底层的金属薄膜(1)、中间层的电介质薄膜(2)和分布在电介质薄膜(2)上表面的若干金属纳米环(301),且金属纳米环(301)对称分布并形成周期排布的金属纳米环阵列(3),所述金属纳米环阵列(3)在一个方向上的排列周期为金属纳米环(301)共振波长的0.92~0.97倍,而在与该方向垂直的另外一个方向上的排列周期小于等于金属纳米环(301)共振波长的0.8倍或大于等于金属纳米环(301)共振波长的1.15倍。
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