[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201611151393.1 申请日: 2016-12-14
公开(公告)号: CN106997869B 公开(公告)日: 2020-06-16
发明(设计)人: 余振华;张智援;王垂堂;谢政宪 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/60
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 路勇
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明实施例提供一种半导体装置及其制造方法,其中运用囊封剂来囊封第一半导体装置及通孔。重布层将所述第一半导体装置连接到第二半导体装置。在特定实施例中,所述第一半导体装置是集成式电压调节器,且所述第二半导体装置是逻辑装置,例如中央处理单元。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置,其包括:第一半导体装置,其中所述第一半导体装置包括第一电压调节器;囊封剂,其囊封所述第一半导体装置;贯穿通孔,其与所述第一半导体装置分离,且从所述囊封剂的第一侧延伸到所述囊封剂的第二侧;第一重布层,其在所述囊封剂的第一侧上电连接到所述贯穿通孔;及第二半导体装置,其是通过所述第一重布层电连接到所述第一半导体装置,其中所述第二半导体装置包括第一逻辑装置。
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