[发明专利]磁性传感器设备和用于具有磁电阻结构的磁性传感器设备的方法有效
| 申请号： | 201611152072.3 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN107046095B | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | W.拉贝格;T.武尔夫特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周学斌;杜荔南 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 实施例涉及一种磁性传感器设备（700），其包括磁电阻结构（710）。该磁电阻结构（710）包括磁性自由层（770），其被配置成在该自由层（770）中自发地生成闭合通量磁化模式（775）。该磁电阻结构（710）还包括具有非闭合通量参考磁化模式（755）的磁性参考层（750）。该磁性传感器设备（700）还包括被配置成在磁性自由层（770）中生成偏置场的磁性偏置结构（780），该偏置场具有垂直于参考磁化模式（755）的非零磁性偏置场分量。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 传感器 设备 用于 具有 磁电 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁性传感器设备，其包括：磁电阻结构，其包括：磁性自由层，其被配置成在该磁性自由层中自发地生成闭合通量磁化模式；和具有非闭合通量参考磁化模式的磁性参考层；以及磁性偏置结构，其被配置成在磁性自由层中生成交换偏置场，该交换偏置场具有垂直于参考磁化模式的非零磁性偏置场分量，其中所述磁性偏置结构包括偏置层，以生成所述交换偏置场，所述偏置层被布置成直接邻近磁性自由层。
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