[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201611153074.4 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN107452677A | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 沈维晟;张仪贤;蔡易恒;郑创仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种制造半导体结构的方法包括提供第一晶圆；提供具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的第二晶圆；使第二晶圆的第一表面与第一晶圆接触；以及在第二晶圆的第二表面上形成多条划线；其中，多条划线从第二晶圆的第三表面突出，并且第三表面介于第一表面和第二表面之间。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体结构的方法，包括：提供第一晶圆；提供具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的第二晶圆；使所述第二晶圆的第一表面与所述第一晶圆接触；以及在所述第二晶圆的第二表面上形成多条划线；其中，所述多条划线从所述第二晶圆的第三表面突出，并且所述第三表面介于所述第一表面和所述第二表面之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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