[发明专利]一种Al-Si-Cu晶界扩散添加剂及含有该晶界扩散添加剂的钕铁硼磁体在审

专利信息
申请号: 201611153357.9 申请日: 2016-12-14
公开(公告)号: CN108231388A 公开(公告)日: 2018-06-29
发明(设计)人: 解伟;吴新谦;于荣海;韩珩;肖震;钟炳文 申请(专利权)人: 龙岩紫荆创新研究院
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02;H01F1/057;C22C21/02;C22C21/14
代理公司: 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 代理人: 林祥翔;吕元辉
地址: 364012 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 本发发明提供一种Al‑Si‑Cu晶界扩散添加剂,该晶界扩散添加剂包括铝、硅、铜,以扩散添加剂总质量为100%,铝、硅、铜的质量百分含量分别为:铝:82至90wt%;硅:6至12wt%;铜:2至8wt%。本发明还把该Al‑Si‑Cu晶界扩散添加剂添加到钕铁硼磁体制备中。发明通过往钕铁硼磁体中添加Al‑Si‑Cu晶界扩散添加剂,可以使得钕铁硼磁体矫顽力获得改善,在生产中可以用Al‑Si‑Cu晶界扩散添加剂代替稀土元素,可以降低稀土元素的使用比例或者不使用稀土元素,降低磁体制备成本。
搜索关键词: 晶界扩散 添加剂 钕铁硼磁体 稀土元素 制备 扩散添加剂 添加剂添加 矫顽力
【主权项】:
1.一种Al‑Si‑Cu晶界扩散添加剂,其特征在于,该晶界扩散添加剂包括铝、硅、铜,以扩散添加剂总质量为100%,铝、硅、铜的质量百分含量分别为:铝:82至90wt%;硅:6至12wt%;铜:2至8wt%。
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