[发明专利]掺四价铬氧化镓晶体及制备方法与应用有效
| 申请号： | 201611153445.9 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN106521625B | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 贾志泰;穆文祥;陶绪堂;尹延如;胡强强 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B15/34;C30B28/02 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨磊 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
本发明涉及掺四价铬氧化镓晶体及制备方法与应用，该晶体分子式为β‑(Ga1‑x‑yCrxAy)2O3，0.001 |
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| 搜索关键词： | 掺四价铬 氧化 晶体 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种掺四价铬氧化镓晶体，其特征在于，该晶体分子式为β‑(Ga1‑x‑yCrxAy)2O3，0.001
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