[发明专利]一种制备磁性隧道结阵列的方法在审
| 申请号： | 201611154526.0 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108232006A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 张云森 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制备磁性隧道结阵列的方法，涉及磁性随机存储器制造技术领域，通过采用O2、O3、N2、H2或NH3等作为中性束源，采用PF3、NO、COF2和带羰基、羟基官能团的气体等中的一种或者几种作为反应气体，通过金属络合反应刻蚀磁性隧道结阵列，反应产物易于挥发而除去，中性束对器件损伤小，且无二次沉积现象，同时采用SiO2、SiON、SiN等硬掩膜，提高了刻蚀的选择性，保护了顶电极，从而有利于磁性随机存储器磁性，电学性能的改善和良率的提升，有利于磁性随机存储器的小型化。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性随机存储器 磁性隧道结 刻蚀 制备 羟基官能团 电学性能 二次沉积 反应气体 金属络合 器件损伤 顶电极 硬掩膜 挥发 良率 束源 羰基 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制备磁性隧道结阵列的方法，其特征在于，采用中性束刻蚀辅助的金属络合反应刻蚀磁性隧道结。
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