[发明专利]一种磷光PtAg2配合物及其制备方法和用途

摘要

本发明涉及一种具有消旋结构的离子型磷光金属配合物及其制备方法和用途，所述配合物的结构为：[PtAg₂{rac‑(PPh₂CH₂PPhCH₂‑)₂}(C≡CR)₂(PR'₃)₂]²⁺A^n‑_2/n或[PtAg₂{meso‑(PPh₂CH₂PPhCH₂‑)₂}(C≡CR)₂(PR'₃)(μ‑X)]⁺_mA^m‑，其中，R可相同或不同，独立地选自：烷基、芳基、杂芳基、杂芳基芳基，R'可相同或不同，独立地选自：烷基、芳基、杂芳基；所述的烷基、芳基、杂芳基均可被一个或多个取代基取代，所述取代基选自烷基、烯基、炔基、烷氧基、氨基、卤素、卤烷基、芳基；X选自卤素；A^m‑、A^n‑为一价或二价阴离子，m或n为1、2。本发明还涉及一种有机发光二极管及其制备方法和用途，以本发明所述的磷光金属配合物为发光层掺杂体，制备得到的有机发光二极管，具有高性能的有机电致发光，可应用于平板显示。

主权项

1.一种消旋的离子型磷光金属配合物，其中，所述的离子型磷光金属配合物的立体结构如下所示：其中，所述R为芳基、咔唑基、吩噻嗪基、咔唑基芳基；所述芳基、咔唑基、吩噻嗪基可任选被一个或多个取代基取代，所述取代基选自烷基、烷氧基、氨基、卤素、卤烷基、芳基；所述R'为芳基、含氮杂环，所述芳基、含氮杂环可任选被一个或多个取代基取代，所述取代基选自烷基、烷氧基、氨基、卤素、卤烷基、芳基；X选自卤素；A^m‑、A^n‑为一价或二价阴离子，m或n为1、2，所述阴离子为ClO₄^‑、PF₆^‑、SbF₆^‑、BF₄^‑、SiF₆^2‑；所述的烷基是指碳原子数为1‑10直链或支链烷基；所述的芳基是指具有6‑20个碳原子的单环、多环芳族基团；所述离子型磷光金属配合物为外消旋或内消旋。