[发明专利]一种再结晶法制备铅卤钙钛矿纳米线的方法有效
申请号: | 201611156001.0 | 申请日: | 2016-12-14 |
公开(公告)号: | CN106629834B | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | 邱婷;苗晓亮;张树芳;胡延强;白帆;张陈明 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | C01G23/02 | 分类号: | C01G23/02;B82Y40/00 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 邹伟红 |
地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明为一种再结晶法制备铅卤钙钛矿纳米线方法,该方法通过在一步法制备APbI3钙钛矿的旋涂过程中滴加不良溶剂以及极性非质子溶剂制备APbI3钛矿纳米线。本发明提供的制备方法具有简单易操作,节省反应时间等优势。本发明通过一步法制备的一维钙钛矿纳米晶薄膜长度均匀,覆盖度好,能为光探测器、激光器提供一种备选材料。钙钛矿纳米线相对于体钙钛矿而言,有更好的光传导能力,能用于光传导器以及激光器等器件。 | ||
搜索关键词: | 一种 再结晶 法制 备铅卤钙钛矿 纳米 方法 | ||
【主权项】:
1.一种再结晶法制备铅卤钙钛矿纳米线制备方法,通过在一步法制备APbI3钙钛矿的旋涂过程中滴加不良溶剂以及极性非质子溶剂制备APbI3钛矿纳米线,其中A=CH3NH3,Cs;具体步骤如下:步骤1;依次用洗洁精,自来水,去离子水,乙醇超声清洗基底10‑30min;吹干后置于UV‑O3中处理10‑15min;步骤2;在表面清洗干净的基底上滴加APbI3钙钛矿前驱体溶液;步骤3;在旋涂涂膜过程中滴加不良溶剂以及极性非质子溶剂混合溶剂制备钙钛矿薄膜;步骤4;进行加热退火处理,即得到铅卤钙钛矿纳米线。
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