[发明专利]一种半导体材料β‑SiC薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201611156214.3 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN106653569A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 谢泉;范梦慧;艾学正;王凯;杨云飞;张晋敏;肖清泉;廖杨芳;谢晶;黄晋;马瑞;陈茜 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所52100 | 代理人： | 李龙,程新敏 |
| 地址： | 550025 贵州省贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体材料β‑SiC薄膜的制备方法，首先，选取普通石墨片或热解石墨为衬底，清洗吹干；然后在衬底上溅射沉积一层Si膜，形成Si/C结构；最后放置于高真空热处理炉中1000℃退火10～14小时获得宽带隙半导体β‑SiC薄膜。与现有技术相比，本发明采用石墨片为衬底，直接以Si靶为靶材，采用磁控溅射法，工艺参数易于控制，且制备的SiC薄膜均匀，重复性良好，解决硅衬底与碳化硅之间存在较大的晶格失配和热膨胀失配，且克服现有技术存在的工艺参数难控制，成本较高，难于大规模生产等缺点。本发明属于半导体薄膜制备技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体材料 sic 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体材料β‑SiC薄膜的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：第一步骤，选取石墨片作衬底，清洗吹干；第二步骤，在衬底上磁控溅射沉积一层Si膜，形成Si/C结构样品；第三步骤，将上述步骤得到的样品放置于高真空热处理炉中进行热处理获得宽带隙半导体β‑SiC薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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