[发明专利]倒锥型大功率硅锗光电探测器及提高入射光功率的方法

摘要

本发明公开了一种倒锥型大功率硅锗光电探测器及提高入射光功率的方法，涉及光通信集成器件领域。该探测器包括入射波导、第一重掺杂区、第二重掺杂区、第一轻掺杂区、第二轻掺杂区、锗波导、本征区，光从入射波导入射，所述第一重掺杂区、第二重掺杂区、第一轻掺杂区、第二轻掺杂区、本征区组成有两层台阶的单脊波导结构，第一轻掺杂区、第二轻掺杂区、本征区的横截面围成梯形，在梯形与入射波导连接处，梯形宽度与入射波导宽度相等，梯形沿着光传播方向宽度由宽变窄；锗波导的横截面为梯形，宽度沿着光传播方向由窄变宽；本征区的横截面为梯形，宽度沿着光传播方向由宽变窄。本发明能够有效提高硅锗光电探测器的入射光功率。

主权项

1.一种倒锥型大功率硅锗光电探测器，制作在SOI晶圆(1)上，其特征在于：该探测器包括入射波导(2)、第一重掺杂区(3)、第二重掺杂区(4)、第一轻掺杂区(5)、第二轻掺杂区(6)、锗波导(7)、本征区(8)，光从入射波导(2)入射，所述第一重掺杂区(3)、第二重掺杂区(4)、第一轻掺杂区(5)、第二轻掺杂区(6)、本征区(8)组成有两层台阶的单脊波导结构，第一轻掺杂区(5)、第二轻掺杂区(6)、本征区(8)的横截面围成梯形，在梯形与入射波导(2)连接处，梯形宽度与入射波导(2)宽度相等，梯形沿着光传播方向宽度由宽变窄；锗波导(7)的横截面为梯形，宽度沿着光传播方向由窄变宽；本征区(8)的横截面为梯形，宽度沿着光传播方向由宽变窄；所述入射波导(2)的纵截面为有两层台阶的单脊波导结构，其中，下层台阶的高度为h1，上层台阶的高度为h2，所述第一重掺杂区(3)、第二重掺杂区(4)的高度为h1，所述第一轻掺杂区(5)、第二轻掺杂区(6)、本征区(8)的高度为h1+h2。