[发明专利]含氮化硅的热化学气相沉积涂层在审
申请号: | 201611157808.6 | 申请日: | 2016-12-15 |
公开(公告)号: | CN107043923A | 公开(公告)日: | 2017-08-15 |
发明(设计)人: | M·袁;J·B·马特泽拉;D·A·史密斯 | 申请(专利权)人: | 西尔科特克公司 |
主分类号: | C23C16/34 | 分类号: | C23C16/34;C23C16/455;C23C16/30 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 左路 |
地址: | 美国宾夕*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了具有含氮化硅的热化学气相沉积涂层的表面、制品和方法。方法包括在腔室内的表面上制备含氮化硅的热化学气相沉积涂层。在所述表面上制备含氮化硅的热化学气相沉积涂层的过程中,流入和流出所述腔室是受限的或暂停的。表面包含含氮化硅的热化学气相沉积涂层。所述表面至少具有被遮挡而无法看见的隐蔽部分。制品包含在腔室内的表面上的含氮化硅的热化学气相沉积涂层。所述表面至少具有被遮挡而无法看见的隐蔽部分。 | ||
搜索关键词: | 氮化 热化学 沉积 涂层 | ||
【主权项】:
一种方法,包括:在腔室内的表面上制备含氮化硅的热化学气相沉积涂层;其中,在所述表面上制备含氮化硅的热化学气相沉积涂层的过程中,流入和流出所述腔室是受限的或暂停的。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的