[发明专利]一种GaN基发光二极管的外延片及其生长方法

摘要

本发明公开了一种GaN基发光二极管的外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。所述外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的缓冲层、过渡层、未掺杂GaN层、N型电子提供层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型空穴提供层、P型接触层，过渡层包括N层Al_aIn_bGaN层和N+1层Al_xGaN层，0≤a＜1，0＜b＜1，0≤x＜1，所述Al_xGaN层和所述Al_aIn_bGaN层交替层叠，N为正整数。本发明有利于底层生长时的应力释放，可以改善外延片的翘曲度，减少破片率，同时降低外延片的位错和缺陷密度，改善晶体质量，提高空穴的注入效率和器件的发光效率，特别适用于大尺寸外延片的生产。

主权项

1.一种GaN基发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型电子提供层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型空穴提供层、P型接触层，其特征在于，所述外延片还包括层叠在所述缓冲层和所述未掺杂GaN层之间的过渡层，所述过渡层由N层Al_aIn_bGaN层和N+1层Al_xGaN层组成，0≤a＜1，0＜b＜1，0≤x＜1，所述Al_xGaN层和所述Al_aIn_bGaN层交替层叠，N为正整数；所述Al_aIn_bGaN层在纯氮气气氛下生长，且所述Al_aIn_bGaN层的生长温度低于所述Al_xGaN层的生长温度。