[发明专利]栅极驱动电路有效
申请号: | 201611160364.1 | 申请日: | 2016-12-15 |
公开(公告)号: | CN106991948B | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 金昺逸;崔硕桓 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20;G09G3/36;G09G3/3266 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 康建峰;杨铁成 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供了一种栅极驱动电路。根据实施方式的栅极驱动电路包括包含多个级的移位寄存器。多个级中的第n级包括锁存器控制电路,该锁存器控制电路包括连接至QB节点的第一NMOS晶体管、连接至Q节点的第二NMOS晶体管以及具有输入有第一时钟的栅电极并且连接至第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的第三NMOS晶体管,其中n是正整数。锁存器连接在Q节点与QB节点之间。传输门连接至Q节点和QB节点。在栅极驱动电路中,前一级和后一级的输出信号被控制为与第一时钟同步以抑制毛刺。 | ||
搜索关键词: | 栅极 驱动 电路 | ||
【主权项】:
一种栅极驱动电路,包括:移位寄存器,其包括多个级,其中所述多个级中的第n级包括:锁存器控制电路,其包括连接至QB节点的第一NMOS晶体管、连接至Q节点的第二NMOS晶体管、以及第三NMOS晶体管,第一时钟被输入至所述第三NMOS晶体管的栅电极,并且所述第三NMOS晶体管连接至所述第一NMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管;锁存器,其连接在所述Q节点与所述QB节点之间;以及缓冲器,其包括传输门,所述传输门连接至所述Q节点和所述QB节点,并且第二时钟被输入至所述传输门的源电极,并且其中n是正整数。
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