[发明专利]硅阵列结构的太赫兹波偏振分束器有效
| 申请号： | 201611160713.X | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN106405735B | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 章乐;李九生 | 申请（专利权）人： | 中国计量大学 |
| 主分类号： | G02B6/126 | 分类号： | G02B6/126 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅阵列结构的太赫兹波偏振分束器。它包括包括基底层、中央矩形硅波导、左一长矩形硅波导、左二长矩形硅波导、左三长矩形硅波导、中一短矩形硅波导、中二短矩形硅波导、中三短矩形硅波导、下一长矩形硅波导、下二长矩形硅波导、右一长矩形硅波导、倒L形硅波导、右二长矩形硅波导、L形硅波导、信号输入端、第一信号输出端、第二信号输出端，信号从信号输入端输入，第一信号输出端输出TE波，第二信号输出端输出TM波，获得偏振分束性能。本发明具有结构简单、分束率高，尺寸小，成本低、易于集成等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 结构 赫兹 偏振 分束器 | ||
【主权项】：
1.一种硅阵列结构的太赫兹波偏振分束器，其特征在于包括基底层（1）、中央矩形硅波导（2）、左一长矩形硅波导（3）、左二长矩形硅波导（4）、左三长矩形硅波导（5）、中一短矩形硅波导（6）、中二短矩形硅波导（7）、中三短矩形硅波导（8）、下一长矩形硅波导（9）、下二长矩形硅波导（10）、右一长矩形硅波导（11）、倒L形硅波导（12）、右二长矩形硅波导（13）、L形硅波导（14）、信号输入端（15）、第一信号输出端（16）、第二信号输出端（17）；基底层（1）左侧中央设有中央矩形硅波导（2），中央矩形硅波导（2）上部与左一长矩形硅波导（3）、左二长矩形硅波导（4）、左三长矩形硅波导（5）、中一短矩形硅波导（6）、中二短矩形硅波导（7）、中三短矩形硅波导（8）相连，中央矩形硅波导（2）下部与下一长矩形硅波导（9）、下二长矩形硅波导（10）相连，右一长矩形硅波导（11）的右端与倒L形硅波导（12）的左端相连，右二长矩形硅波导（13）的右端与L形硅波导（14）的左端相连；中央矩形硅波导（2）的左端设有信号输入端（15），倒L形硅波导（12）的右端设有第一信号输出端（16），L形硅波导（14）的右端设有第二信号输出端（17），信号从信号输入端（15）输入，第一信号输出端（16）输出TE波，第二信号输出端（17）输出TM波，获得偏振分束性能。
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