[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片的生长方法在审
| 申请号： | 201611161072.X | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN106848021A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 李红丽;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片的生长方法，属于半导体技术领域。所述生长方法包括在衬底上生长低温缓冲层；将生长温度以不超过设定速率的速率升高至设定温度；将生长压力升高至第一设定压力，并在第一设定时间段内保持为所述第一设定压力生长第一GaN层；将生长压力降低至第二设定压力，并在第二设定时间段内保持为所述第二设定压力生长第二GaN层，所述第二GaN层和所述第一GaN层组成过渡层；在所述过渡层上生长N型GaN层；在所述N型GaN层上生长应力释放层；在所述应力释放层上生长有源层；在所述有源层上生长P型电子阻挡层；在所述P型电子阻挡层上生长P型GaN层。本发明可以提高抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：在衬底上生长低温缓冲层；将生长温度以不超过设定速率的速率升高至设定温度；将生长压力升高至第一设定压力，并在第一设定时间段内保持为所述第一设定压力生长第一GaN层；将生长压力降低至第二设定压力，并在第二设定时间段内保持为所述第二设定压力生长第二GaN层，所述第二GaN层和所述第一GaN层组成过渡层；在所述过渡层上生长N型GaN层；在所述N型GaN层上生长应力释放层；在所述应力释放层上生长有源层；在所述有源层上生长P型电子阻挡层；在所述P型电子阻挡层上生长P型GaN层。
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