[发明专利]增强型GaN基功率晶体管器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201611161073.4 | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN106783612A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 黄森;刘新宇;康玄武;王鑫华;魏珂 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/06;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 | 代理人： | 张瑾 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种增强型GaN基功率晶体管器件及其制作方法。所述方法包括在衬底上生长第一轻掺杂N型GaN外延层；在第一轻掺杂N型GaN外延层上生长P型GaN外延层；对P型GaN外延层和第一轻掺杂N型GaN外延层刻蚀，形成贯穿P型GaN外延层或贯穿P型GaN外延层并伸入第一轻掺杂N型GaN外延层的刻蚀图形；在所述P型GaN外延层上生长第二轻掺杂N型GaN外延层；在第二轻掺杂N型GaN外延层上生长Al(In，Ga)N薄势垒层，形成薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构；在薄势垒异质结构上生长钝化层。采用外延技术形成薄势垒异质结构，避免了采用槽栅刻蚀技术来减小势垒层厚度的问题，在薄势垒层表面淀积钝化层，有效提高了薄势垒异质结构势垒栅极区域以外的二维电子气密度。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 gan 功率 晶体管 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种增强型GaN基功率晶体管器件的制作方法，其特征在于，包括：在重掺杂N型GaN衬底上方生长第一轻掺杂N型GaN外延层；在所述第一轻掺杂N型GaN外延层上方生长P型GaN外延层；对所述P型GaN外延层和所述第一轻掺杂N型GaN外延层进行刻蚀，以形成贯穿于所述P型GaN外延层或贯穿于所述P型GaN外延层并伸入所述第一轻掺杂N型GaN外延层的刻蚀图形；在含有所述刻蚀图形的P型GaN外延层上方生长第二轻掺杂N型GaN外延层；在所述第二轻掺杂N型GaN外延层上方生长Al(In，Ga)N薄势垒层，所述Al(In，Ga)N薄势垒层同所述第二轻掺杂N型GaN外延层形成了薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构；在所述薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构上方生长钝化层；制作栅极、源极和漏极，以形成所述增强型GaN基功率晶体管器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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