[发明专利]晶圆级金属屏蔽封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201611161114.X | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108231743A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 叶灿鍊;沈宽典;庞思全;王惟平 | 申请（专利权）人： | 矽格股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/31;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆级金属屏蔽封装结构及其制造方法，其中，该方法于重布线与凸块制造过程中，除了形成电性连接芯片单元的第一导电结构，还于芯片单元的前表面且邻近侧表面的位置设置一个或多个第二导电结构，此第二导电结构并未与芯片单元的电路导通，当芯片单元切割完成后，在芯片单元的背面及侧边形成连接第二导电结构的金属屏蔽层，可直接将芯片单元安装上基板，使得第二导电结构与基板的接地结构电性连接，并连通金属屏蔽层，以产生金属屏蔽效应，藉此，可有效防止元件受到电磁干扰，同时达到缩小元件体积的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 导电结构 芯片单元 金属屏蔽 金属屏蔽层 封装结构 电性连接芯片 电磁干扰 电路导通 电性连接 接地结构 制造过程 晶圆级 邻近侧 前表面 上基板 重布线 侧边 基板 凸块 种晶 连通 背面 切割 制造 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆级金属屏蔽封装结构，其特征在于，包括：一基板，具有至少一接地部；至少一芯片单元，设置于该基板上方；多个第一导电结构，设置于该基板上，且位于该芯片单元的一前表面，该芯片单元通过该多个第一导电结构电性连接于该基板；至少一第二导电结构，设置于该基板上，且位于该芯片单元的该前表面并邻近该芯片单元的一侧表面，该第二导电结构与该基板上的该接地部形成电性连接；一封装胶层，覆盖该芯片单元的一背表面及所有侧表面；及一金属屏蔽层，覆盖该封装胶层且延伸至该第二导电结构，以电性连接于该基板上的该接地部。
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