[发明专利]键合线S参数测试提取方法有效

专利信息
申请号: 201611161822.3 申请日: 2016-12-15
公开(公告)号: CN106646193B 公开(公告)日: 2019-03-22
发明(设计)人: 袁素;苏良勇;范麟;万天才 申请(专利权)人: 重庆西南集成电路设计有限责任公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28
代理公司: 重庆市前沿专利事务所(普通合伙) 50211 代理人: 郭云
地址: 400060 重庆*** 国省代码: 重庆;50
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开了一种键合线S参数测试提取方法,其特征在于:包括如下步骤:第一、制作PCB板一和PCB板二;所述PCB板一上设置有50Ω传输线一;所述PCB板二上设置有50Ω传输线二和地线,在50Ω传输线二的右端附近放置被测器件;采用键合工艺用键合线将被测器件的射频输出端与50Ω传输线二的右端连接,分别用键合线二、三将射频输出端两旁的接地端与PCB板二的地线连接;第二、校准微波探针测试系统:利用校准基片和矢量网络分析仪对微波探针测试台进行校准;第三、测试S参数;第四、将测试点转换为面单元结构:第五、得到键合线的S参数,第六、测试验证;本发明测试结果真实可靠,消除了键合线寄生参数影响,可应用到RFIC性能测试中。
搜索关键词: 键合线 传输线 校准 测试 射频输出端 被测器件 微波探针 矢量网络分析仪 寄生参数影响 测试系统 地线连接 键合工艺 性能测试 测试点 测试台 接地端 面单元 地线 验证 转换 制作 应用
【主权项】:
1.一种键合线S参数测试提取方法,其特征在于:包括如下步骤:第一、制作PCB板一和PCB板二;所述PCB板一上设置有50Ω传输线一;所述PCB板二上设置有50Ω传输线二和地线,在50Ω传输线二的右端附近放置被测器件;采用键合工艺用键合线将被测器件的射频输出端与50Ω传输线二的右端连接,分别用键合线二、三将射频输出端两旁的接地端与PCB板二的地线连接;第二、校准微波探针测试系统:利用校准基片和矢量网络分析仪对微波探针测试台进行校准;第三、测试S参数:将PCB板二以抽真空方式吸附在微波探针台上,用微波探针测试台测试已连接键合线的射频输出端的S参数;分别测试50Ω传输线一的左、右两端的S参数;第四、将测试点转换为面单元结构:在50Ω传输线二的左端取端口测试点三(C),在50Ω传输线一的左端取端口测试点一(A),将端口测试点一(A)和端口测试点三(C)设置为同一垂直平面上的参考点,其所在的平面为测试参考平面;在50Ω传输线二的右端取端口测试点四(E),该端口测试点四(E)为被测器件的射频输出端与50Ω传输线二的键合点,在50Ω传输线一的右端取端口测试点二(B),端口测试点二(B)和端口测试点四(E)为同一垂直平面上的点,其所在的平面为测试平面一;再在被测器件上取测试点五(D),该测试点五(D)为被测器件的射频输出端与50Ω传输线二的键合点,测试点五(D)所在的平面为测试平面二,测试平面二与测试平面一平行;第五、得到键合线的S参数其中,S11Δ为端口测试点四的反射系数,S22Δ为测试点五的反射系数,S12Δ为测试点五到端口测试点四的反向传输系数,S21Δ为端口测试点四到测试点五的正向传输系数;S11A为端口测试点一的反射系数,S22A为端口测试点二的反射系数,S12A为端口测试点二到端口测试点一的反向传输系数,S21A为端口测试点一到端口测试点二的正向传输系数;S11B为端口测试点三的反射系数,S22B为测试点五的反射系数,S12B为测试点五到端口测试点三的反向传输系数,S21B为端口测试点三到测试点五的正向传输系数;第六、测试验证将PCB板二连接到矢量网络分析仪进行测试,在整理测试数据时:如果PCB板二上的被测器件为接收机,将端口测试点四到测试点五的正向传输系数S21Δ代入到测试数据中,对PCB板二的正向传输系数进行计算补偿,得到PCB板二上被测器件的实际增益或衰减P;计算公式为:P=PT21‑(S21Δ/2)其中,PT21为PCB板二用矢量网络分析仪测得的PCB板二的正向传输系数值,S21Δ为端口测试点四到测试点五的正向传输系数;如果PCB板二上的被测器件为发射机,将测试点五到端口测试点四的反向传输系数S12Δ代入到测试数据中,对PCB板二的反向传输系数进行计算补偿,得到PCB板二上被测器件的实际增益或衰减P;计算公式如公式:P=PT12‑(S12Δ/2)其中,PT12为PCB板二用矢量网络分析仪测得的PCB板二的反向传输系数值,S12Δ为测试点五到端口测试点四的反向传输系数。
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