[发明专利]一种基于绝缘体上硅薄膜(SOI)的1×8高性能光子晶体并行复用传感器阵列结构有效
| 申请号： | 201611165545.3 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN106772703B | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 田慧平;付中原;孙富君;王春红;丁兆祥;王超 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | G02B1/00 | 分类号： | G02B1/00;G02B6/12;G01N21/41 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100876 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于绝缘体上硅薄膜(SOI)的1×8高性能光子晶体并行复用传感器阵列结构。本发明将一个1×8分束器，八个一维光子晶体槽纳米束微腔(1DPC‑SNCs)，八个渐变型一维光子晶体带阻滤波器(1DPC‑TNBF)和一个8×1耦合器串联在二氧化硅衬底上。通过将空气槽加入光子晶体微腔，在保证高Q值得前提下将灵敏度提高到400nm/RIU以上，通过优化微腔的结构，其Q值可达7×105。一维光子晶体带阻滤波器可以实现对微腔高阶模的滤波，实现比较大的自由光谱范围(FSR)，通过与分束/耦合器的级联，可以实现在一个输入/输出端口下的大规模、同时询问的并行复用传感。复用结构的整体尺寸只有64×16μm2(传感区域26×16μm2)，并且没有设计悬浮区域，提高了结构强度并降低了制作难度。本发明可用于超紧凑气体环境复用传感领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 绝缘体 薄膜 soi 性能 光子 晶体 并行 传感器 阵列 结构 | ||
【主权项】：
1.基于绝缘体上硅薄膜(SOI)的1×8高性能光子晶体并行复用传感器阵列结构，其特征在于：该光子晶体传感器阵列是基于一维纳米束波导和硅波导分束/耦合器相结合，形成空气孔硅介质SOI背景结构；在一维光子晶体中引入槽结构并与硅波导和渐变型一维光子晶体滤波器直接耦合，通过级联分束/耦合器实现并行光子晶体传感器阵列。
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