[发明专利]蚀刻方法有效
| 申请号： | 201611165711.X | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN107039229B | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 高岛隆一;后平拓;大矢欣伸 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明可提供一种蚀刻方法。其目的在于一边对掩模膜的正面开口的形状进行调整一边进行蚀刻。一种蚀刻方法，其是如下方法：利用等离子体生成用的高频电力从含有含氢气体以及含氟气体的气体生成等离子体，利用所生成的等离子体对氧化硅膜进行蚀刻，其中，所述含氟气体含有氢氟碳化合物气体，从所述氢氟碳化合物气体生成的自由基的附着系数比从四氟化碳(CF4)生成的自由基的附着系数大。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻方法，其是如下方法：利用等离子体生成用的高频电力从含有含氢气体以及含氟气体的气体生成等离子体，利用所生成的等离子体对氧化硅膜进行蚀刻，其中，所述含氟气体含有氢氟碳化合物气体，从所述氢氟碳化合物气体生成的自由基的附着系数比从四氟化碳即CF4生成的自由基的附着系数大，其中，所述蚀刻在晶圆的温度为－35℃以下的极低温度环境中实施，所述氧化硅膜隔着掩模膜被蚀刻，通过对所述氢氟碳化合物气体相对于所述含氟气体的流量进行控制，以对堆积于所述掩模膜的反应产物的形状进行控制。
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