[发明专利]在存储器装置的ZQ校准中决定电阻校准方向的方法有效
| 申请号： | 201611165911.5 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN108206037B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 郑育轩;刘建兴 | 申请（专利权）人： | 晶豪科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4078 | 分类号： | G11C11/4078 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 胡琪 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种在存储器装置的ZQ校准中决定电阻校准方向的方法包含：由比较器反复地比对一参考电压与一目标电压以获得奇复数个比对结果，这些比对结果中的每一个为高状态与低状态其中的一个；由ZQ校准控制器针对这些比对结果的这些状态决定这些比对结果的多数；以及由该ZQ校准控制器根据该多数，决定电阻校准方向，使得该ZQ校准控制器基于该电阻校准方向产生一校准码，并将该校准码应用至电阻校准单元以经由该电阻校准单元调整该目标电压。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 zq 校准 决定 电阻 方向 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在存储器装置的ZQ校准中决定电阻校准方向的方法，包含下列步骤：由比较器反复地比对一参考电压与一目标电压以获得奇复数个比对结果，这些比对结果中的每一个为高状态与低状态其中的一个；由ZQ校准控制器针对这些比对结果的这些状态决定这些比对结果的多数；以及由该ZQ校准控制器根据该多数决定电阻校准方向，使得该ZQ校准控制器基于该电阻校准方向产生一校准码，并将该校准码应用至电阻校准单元以经由该电阻校准单元调整该目标电压。
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