[发明专利]一种基于IGBT模块的饱和电压测量电路及方法有效
| 申请号： | 201611166089.4 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN108205074B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 钱宇力;李伟 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆;胡彬 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及测量检测技术领域，具体涉及一种基于IGBT模块的饱和电压测量电路及方法。一种基于IGBT模块的饱和电压测量电路，其中，包括恒流源，所述恒流源的一端连接所述IGBT模块的集电极，另一端连接所述IGBT模块的发射极；第一控制电路，所述第一控制电路的一端连接所述IGBT模块的栅极，另一端连接所述IGBT模块的发射极；电压检测装置，一端连接所述IGBT模块的集电极，另一端连接所述IGBT模块的发射极。电压检测装置读取的电压信号中不包括IGBT模块集电极引脚的等效电阻、发射极引脚的等效电阻、焊线阻抗的等效电阻产生的压降，大大提高了集电极与发射极之间的饱和压降的检测准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 igbt 模块 饱和 电压 测量 电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于IGBT模块的饱和电压测量电路，其特征在于，包括恒流源，所述恒流源的一端连接所述IGBT模块的集电极，另一端连接所述IGBT模块的发射极；第一控制电路，所述第一控制电路的一端连接所述IGBT模块的栅极，另一端连接所述IGBT模块的发射极；电压检测装置，一端连接所述IGBT模块的集电极，另一端连接所述IGBT模块的发射极,其中连接于所述电压检测装置与所述集电极C、所述发射极E之间连接线的电阻率远远大于所述恒流源I与所述集电极C、发射极E之间的连接线的电阻率。
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