[发明专利]生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201611166965.3 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN106783948B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 李国强;高芳亮;温雷;张曙光;徐珍珠;韩晶磊;余粤锋 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L21/02;C30B23/02;C30B29/60;C30B29/40;C30B29/02 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片，由下至上依次包括Si衬底、In金属纳米微球层和InN纳米柱层。所述In金属纳米微球层中的In金属纳米微球的直径为20‑70nm。所述InN纳米柱层中InN纳米柱直径为40‑80nm。本发明还公开了生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片的制备方法。本发明的纳米柱直径均一，同时解决了InN因与Si之间存在较大晶格失配而在其中产生大量位错的技术难题，大大减少了InN纳米柱外延层的缺陷密度，有利提高了载流子的辐射复合效率，可大幅度提高氮化物器件如半导体激光器、发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 si 衬底 inn 纳米 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片，其特征在于，由下至上依次包括Si衬底、In金属纳米微球层和InN纳米柱层。
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