[发明专利]一种发光二极管的外延结构及其生长方法在审
| 申请号： | 201611167259.0 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN106601885A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 汪洋;林志伟;童吉楚 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/24 | 分类号： | H01L33/24;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司35203 | 代理人： | 廖吉保 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光二极管的外延结构，在衬底表面生长N型层，N型层表面形成V型缺陷坑，在形成V型缺陷坑的N型层上生长有源层，并在有源层上保持V型缺陷坑的开口形态和开口深度，在有源层上生长P型层并将V型缺陷坑填平。本发明还公开一种发光二极管的外延结构生长方法。本发明可以增加电子和空穴向有源区的注入效率，使电子和空穴在有源区获得均匀的分布，进而增加有源区内量子效率，提高发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 结构 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的外延结构，其特征在于：在衬底表面生长N型层，N型层表面形成V型缺陷坑，在形成V型缺陷坑的N型层上生长有源层，并在有源层上保持V型缺陷坑的开口形态和开口深度，在有源层上生长P型层并将V型缺陷坑填平。
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