[发明专利]用于FINFET间隔物成型的集成工艺在审
| 申请号： | 201611167849.3 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN106449762A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 易海兰;雷通;陈勇跃 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 徐伟 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 介绍了一种新型等离子工艺作为在FinFET器件的间隔物成型期间常规等离子体工艺的改进。在此新型等离子体工艺下，在侧壁材料上生长氧化层并使用低能量等离子体气体对侧壁的拐角区域进行过度蚀刻。该氧化层可在通过低能量等离子体气体过度蚀刻的过程中有效保护侧壁材料，由此降低低能量等离子体气体引起的上述CD损耗。此改进的低能量等离子体蚀刻技术相比于传统低能量等离子体工艺可保护鳍结构不受CD损耗，并且相比于传统高能量等离子体工艺也以降低的Si损耗避免了损害鳍硅结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 finfet 间隔 成型 集成 工艺 | ||
【主权项】：
一种用于制造3D鳍场效应晶体管FinFET器件的方法，所述方法包括：在衬底之上提供鳍形硅；提供包覆在所述鳍形硅的三个侧面周围的栅极结构；在所述栅极结构和所述鳍形硅的整个表面之上沉积氮化硅SiN层；在所述SiN层的整个表面之上沉积氧化层；执行氧化物蚀刻工艺以移除所述SiN层的表面上在所述鳍形硅上方的氧化层部分；执行SiN蚀刻工艺以移除所述鳍形硅上方的SiN层部分；以及执行氧化物移除工艺以移除所述SiN层上垂直方向上的氧化物层部分，以使垂直方向上的所述SiN层至少形成所述栅极结构的侧壁间隔物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611167849.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件的形成方法
- 下一篇：一种薄膜晶体管及制造方法和显示器面板
- 同类专利
- 专利分类
