[发明专利]一种基于硅纳米线的薄膜硅晶体硅叠层太阳能光伏电池在审
| 申请号： | 201611167903.4 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN106784114A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 王珺;郭群超;朱红英;丁云飞;朱晨烜 | 申请（专利权）人： | 上海电机学院 |
| 主分类号： | H01L31/076 | 分类号： | H01L31/076;H01L31/077;H01L31/028;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司31227 | 代理人： | 俞晨波 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于硅纳米线的薄膜硅晶体硅叠层太阳能光伏电池，包括位于上层的NIP非晶硅叠层电池、以及位于下层的PIN异质结硅电池，所述NIP非晶硅叠层电池和PIN异质结硅电池通过非晶硅隧道结串联，在所述PIN异质结硅电池的吸收层晶体硅的上表面设有硅纳米线阵列。本发明通过将硅纳米线阵列引入叠层电池，使电池兼具纳米线阵列的陷光优势和叠层电池的较高的开路电压和短路电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 薄膜 晶体 硅叠层 太阳能 电池 | ||
【主权项】：
一种基于硅纳米线的薄膜硅晶体硅叠层太阳能光伏电池，其特征在于：包括位于上层的NIP非晶硅叠层电池、以及位于下层的PIN异质结硅电池，所述NIP非晶硅叠层电池和PIN异质结硅电池通过非晶硅隧道结串联，在所述PIN异质结硅电池的吸收层晶体硅的上表面设有硅纳米线阵列。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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