[发明专利]CaF2光学薄膜元件的制备方法及CaF2光学薄膜元件有效
| 申请号： | 201611168144.3 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN106405688B | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 邓文渊;金春水;靳京城;李春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | G02B1/10 | 分类号： | G02B1/10;G02B1/14 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 赵勍毅 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种CaF2光学薄膜元件的制备方法，包括以下步骤：对CaF2光学基底表面及亚表面层进行有效表征；对CaF2光学基底表面及亚表面层进行超光滑处理，获得缺陷含量更低的CaF2光学基底表面及亚表面层；在CaF2光学基底表面镀制薄膜得到CaF2光学薄膜元件。本方案可以有效提高CaF2光学薄膜元件抗深紫外激光辐照的能力，有效延长CaF2光学薄膜元件在深紫外波段高重频和高平均功率密度条件下的工作寿命。 | ||
| 搜索关键词： | caf2 光学薄膜 元件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CaF2光学薄膜元件的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：对CaF2光学基底表面及亚表面层进行有效表征，通过椭偏光谱技术测量评价CaF2光学基底布儒斯特角的漂移程度对表面和亚表面层的物理厚度进行有效评价；对CaF2光学基底表面及亚表面层进行超光滑处理，获得缺陷含量更低的CaF2光学基底表面及亚表面层，所述超光滑处理包括：去离子水冲洗、离子镀或离子束超光滑表面刻蚀技术；在CaF2光学基底表面镀制薄膜得到CaF2光学薄膜元件。
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