[发明专利]一种锑锗多层纳米复合相变材料及其制备和应用在审
| 申请号： | 201611168168.9 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN106601908A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 翟继卫;陈施谕;吴卫华 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司31225 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种锑锗多层纳米复合相变材料及其制备和应用，该复合相变材料为Sb薄膜和Ge薄膜交替排列成多层薄膜结构，Sb薄膜的厚度为1‑3nm，Ge薄膜的厚度为0.5‑3.5nm，采用磁控溅射法，在SiO2/Si(100)衬底上，以Sb和Ge为溅射靶材，以Ar为溅射气体，交替沉积多层Sb薄膜和Ge薄膜，获得Sb/Ge纳米复合多层相变薄膜材料。与现有技术相比，本发明制备得到的Sb/Ge纳米复合多层相变薄膜具有很高的热稳定性，能提高数据保存时间；具有更高的晶态及非晶态电阻，能降低PCRAM的操作功耗；相比传统相变存储材料热稳定性提高，晶化速度加快。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 纳米 复合 相变 材料 及其 制备 应用 | ||
【主权项】：
一种锑锗多层纳米复合相变材料，其特征在于，该复合相变材料为Sb薄膜和Ge薄膜交替排列成多层薄膜结构，所述的Sb薄膜的厚度为1‑3nm，所述的Ge薄膜的厚度为0.5‑3.5nm。
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