[发明专利]片式元器件的封端方法及制备方法在审
| 申请号： | 201611168709.8 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN106653403A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 农剑;周超;付振晓;沓世我;伍秀波;王建明;李保昌 | 申请（专利权）人： | 广东风华高新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G13/00 | 分类号： | H01G13/00;H01C17/02;H01C17/28;H01F41/00;H01F41/14;H01F41/18 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 生启 |
| 地址： | 526020 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种片式元器件的封端方法及制备方法。包括以下步骤采用磁控溅射的方式在所述陶瓷体的端面制备端电极；在所述端电极的表面电镀形成镍层；在所述镍层的表面电镀形成锡层。上述片式元器件的封端方法及上述片式元器件的制备方法，采用磁控溅射的方式在陶瓷体的端面制备端电极，可以提高器件表面的平整光滑程度；再在端电极的表面电镀镍层和锡层，可以对内电极起到保护作用，在焊接时，能减小高温对内电极的破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 元器件 端方 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种片式元器件的封端方法，其特征在于，包括以下步骤：采用磁控溅射的方式在陶瓷体的端面制备端电极；在所述端电极的表面电镀形成镍层；在所述镍层的表面电镀形成锡层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东风华高新科技股份有限公司，未经广东风华高新科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611168709.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
