[发明专利]一种介电常数可调中低介电常数氮化硅陶瓷及其制备方法有效
| 申请号： | 201611168857.X | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN108203302B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 曾宇平;梁汉琴;左开慧;夏咏锋;姚冬旭;尹金伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/64 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 郑优丽;熊子君 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种介电常数可调中低介电常数氮化硅陶瓷及其制备方法，所述氮化硅陶瓷由Si |
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| 搜索关键词： | 一种 介电常数 可调 氮化 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种介电常数可调中低介电常数氮化硅陶瓷，其特征在于，所述氮化硅陶瓷由Si3N4、Al2O3、Nd2O3以及BaTiO3四种起始原料烧结而成，在起始原料中，Al2O3和Nd2O3合计的质量百分比为5～10%，BaTiO3的质量百分比为20%以下，优选为5～20%。
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