[发明专利]一种纳米复合结构的Mg2Ge/Mg3Sb2热电材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201611168970.8 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN106531879B | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 赵德刚;吴迪;宁纪爱;左敏;王振卿 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | H01L35/34 | 分类号： | H01L35/34;H01L35/18;C22C1/04;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 贾波 |
| 地址： | 250022 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米复合结构的Mg2Ge/Mg3Sb2热电材料及其制备方法，该热电材料由Mg3Sb2基体相和Mg2Ge纳米相构成，其中Mg2Ge纳米相分散在Mg3Sb2基体相中，Mg2Ge的尺寸为10‑20nm。本发明通过熔融、熔体旋甩并结合放电等离子烧结的方法制备热电材料，所得热电材料热电材料属于p型热电材料，增加了声子散射，大大降低了热导率，提高了赛贝克系数，具有较好的热电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 复合 结构 mg2ge mg3sb2 热电 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米复合结构的Mg2Ge/Mg3Sb2热电材料，其特征是：该热电材料由Mg3Sb2基体相和Mg2Ge纳米相构成，其中Mg2Ge纳米相分散在Mg3Sb2基体相中；所述Mg2Ge纳米相中，Mg2Ge的尺寸为10‑20nm；Mg2Ge纳米相在纳米复合结构的Mg2Ge/Mg3Sb2热电材料中的重量百分比为0.5‑2%。
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