[发明专利]黑白CMOS图像传感器及提高其感光度的制造方法

摘要

本发明涉及黑白CMOS图像传感器及提高其感光度的制造方法，黑白CMOS图像传感器包括硅衬底、氧化层、光刻胶层、以及若干氮氧化硅单元。硅衬底上形成有感光有效区，氧化层位于硅衬底一侧，且上形成有与感光有效区对应的凹陷区，以避让感光有效区。光刻胶层覆盖在氧化层上，光刻胶层上形成有与感光有效区位置对应并向下凹陷的阱区，阱区与凹陷区对应连通，避让感光有效区。凹陷区、阱区内设置有氮氧化硅单元，氮氧化硅单元覆盖在感光有效区位置上，向阱区外凸起，且向外凸起的表面为弧面，可以让入射光入射后向下聚焦，在氮氧化硅单元内部向下全反射，在底端光线全部射出到感光有效区，避免入射光线对旁边像素进行串扰和入射光子的损失，提高了量子效率。

主权项

1.一种黑白CMOS图像传感器，其特征在于，包括硅衬底(1)、氧化层(2)、光刻胶层(3)、以及若干氮氧化硅单元(41)；所述硅衬底(1)上形成有感光有效区(11)，所述氧化层(2)位于硅衬底(1)一侧，且所述氧化层(2)上形成有与所述感光有效区(11)对应的凹陷区(21)，以避让所述感光有效区(11)；所述光刻胶层(3)覆盖在所述氧化层(2)上，所述光刻胶层(3)上形成有与所述感光有效区(11)位置对应并向下凹陷的阱区(31)，所述阱区(31)与所述凹陷区(21)对应连通，避让所述感光有效区(11)；所述凹陷区(21)、阱区(31)内设置有所述氮氧化硅单元(41)，所述氮氧化硅单元(41)覆盖在所述感光有效区(11)位置上，向所述阱区(31)外凸起，且向外凸起的表面为弧面。