[发明专利]用于改善的切换效率的自旋轨道转矩位设计有效
| 申请号： | 201611170647.4 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN106910820B | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | P.M.布拉干萨 | 申请（专利权）人： | 西部数据技术公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L27/22;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于非易失性存储器单元的方法；特别地，一种自旋轨道转矩MRAM(SOT‑MRAM)存储器单元，其降低切换单独位所需的电流。存储器单元包含具有第一纵轴的第一互连线、具有长轴的椭圆形MTJ位(“位”)以及第二互连线，其中该第二互连线具有垂直于第一互连线的第二纵轴。位包含极化自由层、势垒层以及极化参考层，该极化参考层具有钉扎为与长轴不同的角度的磁矩。通过将长轴设置为相对于所描述的第一纵轴和第二纵轴和参考层成角度，并且向互连线施加电压，可以在自由层与自旋电流或拉什巴场之间引起非零平衡角度，导致更加连贯的切换动力学。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 切换 效率 自旋 轨道 转矩 设计 | ||
【主权项】：
一种存储器单元，包括：第一互连线，所述第一互连线具有第一纵轴；第二互连线，所述第二互连线具有第二纵轴，所述第二纵轴设置为垂直于所述第一互连线；以及椭圆形位，所述椭圆形位具有设置在所述第一互连线与所述第二互连线之间的长轴，其中所述长轴设置为相对于所述第一纵轴和所述第二纵轴成角度，并且其中所述椭圆形位包括，自由层；参考层，所述参考成具有磁矩，其中所述磁矩设置为与所述长轴不同的角度；以及势垒层，所述势垒层设置在所述自由层与所述参考层之间。
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