[发明专利]多层级芯片互连有效
| 申请号： | 201611170916.7 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN107017230B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | P·奥斯米茨;T·雅各布斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱;董典红 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明为多层级芯片互连。例如，设备和技术的代表性实施方式提供诸如芯片管芯的多层集成电路(IC)的互连部件的优化电性能。多层IC中的不同层包括可用于连接至IC外的电路、系统和载体的接触端子。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 芯片 互连 | ||
【主权项】：
一种多层集成电路(IC)，包括：第一导电层，包括第一材料；第一接触端子，耦合至所述第一导电层；第二导电层，设置在所述第一导电层上方，所述第二导电层包括第二材料；第二接触端子，耦合至所述第二导电层；以及至少一个开口，位于所述第二导电层中，所述第一接触端子经由所述第二导电层中的所述开口可从外部接入，使得所述第一接触端子和所述第二接触端子可同时从外部接入。
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