[发明专利]激光辅助氮化镓晶体化学机械抛光方法有效
| 申请号： | 201611173917.7 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN106601607B | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 谢宇;王颖慧 | 申请（专利权）人： | 镓特半导体科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 姚艳 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种激光辅助氮化镓晶体化学机械抛光方法，其中，所述激光辅助氮化镓晶体化学机械抛光方法至少包括如下步骤：S1，采用激光对所述氮化镓晶体的表面进行照射修饰；S2，在化学腐蚀与机械研磨的作用下对照射修饰后的所述氮化镓晶体进行抛光和表面平坦化。本发明通过激光辅助的方式对氮化镓晶体进行CMP之前的表面处理，克服了氮化镓晶体研磨过程耗时久和易碎的技术瓶颈，减小了物料消耗，提高了研磨效率，降低了氮化镓晶体的损伤程度，可以显著提高研磨效率和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 辅助 氮化 晶体化学 机械抛光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种激光辅助氮化镓晶体化学机械抛光方法，其特征在于，所述激光辅助氮化镓晶体化学机械抛光方法至少包括如下步骤：S1，采用激光对所述氮化镓晶体的表面进行照射修饰；S2，在化学腐蚀与机械研磨的作用下对照射修饰后的所述氮化镓晶体进行抛光和表面平坦化；其中，所述S1步骤中至少包括如下步骤：S11，将所述氮化镓晶体的任一表面向上固定于激光载台上，采用所述激光对该表面的选定区域进行照射；S12，对所述氮化镓晶体被照射过的表面进行清洗；S13，将所述氮化镓晶体未被照射过的表面向上固定于激光载台上，采用所述激光对该未被照射过的表面的选定区域进行照射；S14，重复步骤S12～步骤S13直到所述氮化镓晶体的所有表面均被激光照射。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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